IT-лаборатория

Главная » 2010 » Май » 21 » NAND-память с низким потребляемым током позволит достичь скорости записи 10 Гб/с

18:52 NAND-память с низким потребляемым током позволит достичь скорости записи 10 Гб/с
Группой японских ученых предложена технология производства энергонезависимой NAND-памяти, для работы которой достаточно напряжения в 1 В. Энергопотребление новых ячеек памяти на 86% меньше, чем у существующих типов NAND. По заявлению разработчиков, новые маломощные накопители позволят повысить скорость записи данных до 10 Гб/с. Основой инновационной продукции служит ферроэлектрическая флеш-память, ячейки которой используют металлический затвор на изолирующей пленке. Традиционные типы NAND памяти, основанные на плавающих затворах, требуют рабочего напряжения в 20 В, а для ферроэлектрической памяти достаточно 3 В, в режиме записи – 6 В. Понизив управляющее напряжение до 1 В, ученые применили новый механизм, который позволяет безошибочно записывать данные в ячейки и не оказывает влияния на содержимое соседних ячеек. Новый метод получил название Single-cell Self-boost method и состоит в том, что при записи нужной ячейки соседствующие с ней отключаются. Для этого на оба конца линии, соединяющей две соседние с нужной ячейки, подается управляющее напряжение 1 В. В процессе записи напряжение линии записи (word line) повышается до 6 В, за счет чего электрический потенциал на канале отключенных соседних ячеек увеличивается. В результате разность потенциалов между каналом не предназначенных для записи ячеек и линией записи уменьшается, таким образом исключается возможность ошибок записи. Новый метод позволяет параллельно записывать данные на 110 отдельных микросхем (это в 6,9 раз больше, чем в существующих SDD). Результаты исследований были представлены 2-й международной конференции IEEE IMW 2010 (International Memory Workshop), прошедшей 16-19 мая в Сеуле (Южная Корея).
Просмотров: 496 \| Добавил: STALKER34