IT-лаборатория

Ученые из лондонского университета UCL впервые разработали чип резистивной памяти со случайным доступом (ReRAM) на чистом оксиде кремния. Чип способен работать в условиях окружающей среды и должен стать следующим типом супер-быстрой памяти.

Чипы памяти ReRAM основаны на материале, который изменяет свое электрическое сопротивление при подаче напряжения. Это означает, что данные могут храниться без питания. Чипы обещают значительное увеличение емкости, чем предлагают современные технологии при уменьшении энергопотребления и занимаемого места. По данным исследователей, памятьReRAM требует всего тысячной части энергии и в сотни раз быстрее, чем привычная флэш-память. Возможность работы при нормальных условиях и сохранение свойств к переменному сопротивлению дает простор для применения. В отличие от других чипов на оксиде кремния, новинка не требует вакуума, а значит потенциально более дешевая и надежная.